Статьи

Все имеет свою историю. И даже великие дела начинались с малого. Тем ценнее для нас исторический опыт, тем значимее он для будущих поколений. В прошлом году мы праздновали 55-летие Зеленограда. В этом – подошел черед отмечать полувековой юбилей крупнейшему и ведущему зеленоградскому предприятию ОАО «НИИМЭ и Микрон».

«Микрон» сегодня – это признанный лидер российской микро-электронной отрасли, выпускающий 42% всей отечественной элементной базы. Будучи единственным в России микроэлектронным предприятием, освоившим технологию 90 нм, «Микрон» уже в этом году собирается начать серийное производство интегральных схем с топологией 65 нм. Отличительной особенностью предприятия является то, что здесь  реализован полный производственный цикл: от разработки до готовой продукции.

Легенда о Старосе

А ведь когда-то отечественная микроэлектроника создавалась буквально с «нуля». Один из первых на предприятии руководителей академик РАН Камиль Ахметович Валиев вспоминал годы создания «Микрона»: НИИМЭ был образован 9 марта 1964 года, на закате эпохи хрущевской оттепели, когда наука и производство, относясь к разным ведомствам, существовали обособленно: НИИ работали «на полку», а производства сокращались.

На Западе тем временем набирала обороты техническая революция, связанная с поворотным открытием, приведшем к бурному развитию микроэлектроники – интеграции транзисторов в кристалле. В это непростое время в судьбе отечественной микроэлектроники главную роль сыграл руководитель Госкомитета СССР по электронной технике, позднее ставший министром электронной промышленности, А.И.Шокин.

Развивать «невероятную промышленность» стали двумя путями: на базе существовавших крупных полупроводниковых производств и создавая новый комплекс НИИ и заводов в городе-спутнике Москвы – Зеленограде.

Камиль Ахметович рассказывал легенду о том, как «второе Иваново» из города будущих швейников стало центром отечественной микроэлектроники. Согласно этой легенде член коммунистической партии США Ф.Старос, переехавший в 1956 году в Ленинград, где возглавил лабораторию СЛ-11, которая в 1959 г. была расширена в КБ-2 электронной техники, показал Н.Хрущеву в одну из его поездок в Ленинград образцы микроприемников, предложив план по созданию советского центра электроники в Зеленограде. Это решило судьбу и Зеленограда, и отечественной микроэлектроники, а значит и «Микрона».

Романтики и энтузиасты науки

В начале 1960-х годов в зеленоградской школе швейников и школе металлистов (основные городские производственные строения) разместились первые предприятия. Одновременно проектировались первые зеленоградские НИИ, началось строительство НИИ молекулярной электроники.

Такое название института объясняется не царившей в то время особой «секретностью», а энтузиазмом и амбициозностью первых ученых. Им казалось, что путь от кремниевых микросхем до молекулярной электроники будет коротким, что вот-вот, уже завтра, они приступят к созданию молекулярных схем. Но путь от микро- до молекулярной электроники оказался куда труднее. Даже сегодня, спустя полвека, он все еще не пройден…

Строительные и организационные работы будущего предприятия с 1964 г. возглавил И.Гуреев.

С января 1965 г. руководителем НИИМЭ назначен К.Валиев, 34-лет-ний доктор физико-математических наук, будущий академик РАН. Тогда штат сотрудников уже составляли 183 человека. С Камиля Ахметовича началась и развернулась научная деятельность предприятия.

В последующие годы руководителями были А.Назарьян, А.Нестеров, Н.Щербаков, А.Еременко и ныне действующий  Г.Красников, академик РАН.

В первые годы становления Зеленограда как центра микроэлектроники самым дефицитным было время. Средства из бюджета страны поступали фактически в неограниченном количестве.

Чтобы сэкономить время на проектирование НИИМЭ, за основу взяли проект часового завода – двухэтажное здание, где по периметру располагались комнаты персонала. На первом этаже был обустроен заводской цех, второй этаж предназначался для разработчиков интегральных схем. Строительство здания закончили уже к 1966 году.

Пока оно строилось, коллектив НИИМЭ размещался в одном из цехов расположенного рядом завода «Элион», а для опытного цеха был выделен один пролет в «чистом зале» завода «Компонент».

К 1966 году на предприятии сумели наладить производственную кооперацию: НИИ материаловедения поставлял материалы, оборудование давал НИИ точного машиностроения. Недолго ждали и первых результатов – опытный цех НИИМЭ быстро вышел на производство 100 тысяч транзисторов в месяц.

В 1966 г. опытный цех приступил к выпуску первых серий микросхем «Иртыш» и других интегральных схем собственной разработки. Ежегодно в институте разрабатывалось около 25 типов интегральных схем, каждую из которых ждали гражданские и военные заказчики.

Коллектив НИИМЭ рос и уже не мог совмещать на площадях института разработку и изготовление новых типов микросхем. Необходимость строительства большого опытного завода при НИИ стала очевидной, и 1 февраля 1967 г. приказом министра электронной промышленности СССР при институте был организован завод по производству интегральных схем «Микрон». А уже 27 сентября 1967 г. был заложен его фундамент.

С 1970 г. обязанности заместителя директора НИИМЭ по производству – директора завода «Микрон» в разные годы исполняли И.Ройзенблит, И.Романычев, Ю.Райнов, Ю.Дьяков, Б.Полатайко, Е.Горнев, Г.Красников, А.Поликарпов, Н.Щербаков.

Уже к 1970 году «Микроном» было изготовлено и поставлено различным отраслям более 3,5 млн микросхем. В 1971 г. под монтаж сданы все четыре секции завода площадью свыше 60 тыс. кв. м, а «микроновские» микросхемы серии 155 впервые аттестованы на высшую категорию качества – в 1972 г. им присвоен «Знак качества» СССР.

НИИМЭ и «Микрон» сыграли решающую роль в становлении микроэлектронной отрасти – они оказывали огромную помощь отечественным серийным заводам по производству интегральных схем, помогали во внедрении разработанных в НИИМЭ технологий и изделий. Это обеспечило создание производства более чем на 30 предприятиях СССР – практически во всех столицах союзных республик и в крупных научно-промышленных центрах страны.

В 1980 г. на «Микроне» была изготовлена 100-миллионная микросхема, начат выпуск интегральных схем для программы «Марс-Венера», создано производство по системе «чистая комната». В этом же году был сдан в эксплуатацию административно-лабораторный корпус площадью более 10 тыс. кв. м. Указом Президиума Верховного Совета СССР от 12.04.1983 г. «НИИМЭ и Микрон» награжден орденом Трудового Красного Знамени за успешное выполнение заданий по созданию и производству Единой системы ЭВМ.

В те годы «НИИМЭ и Микрон» вошел в десятку ведущих микро-электронных компаний мира. А созданная К.Валиевым научная школа продолжала активно развиваться еще продолжительное время и после его ухода с предприятия в 1977 году.

Время поражений и время побед

После периода стремительного развития, когда наша микроэлектроника была одной из самых передовых в мире, настало и время, когда эта перспективная отрасль оказалась, по сути, не нужной государству. Политика «а это мы купим за рубежом» (рассказывают, что именно этой фразой отвечали директорам НИИ и заводов в кабинете министров при премьере Гайдаре) стала настоящим приговором для зеленоградских предприятий.

«Микрон» в это смутное время тоже оказался на краю пропасти. Но коллектив доверил свое будущее и будущее предприятия новому директору Г.Я.Красникову, который не допустил распада предприятия на мелкие компании и сохранил и завод, и НИИ.

И сегодня «НИИМЭ и Микрон» успешно осваивает новые рубежи микроэлектронной отрасли, сокращая технологическое отставание. Два года назад здесь было открыто производство интегральных схем с топологическими нормами 90 нм. И вот уже сегодня «Микрон» объявляет, что в 2014 г. начнет серийное производство микросхем по топологии 65 нанометров, совершив еще один технологический рывок.

– Освоение «Микроном» 90-нм технологии и успешный запуск производства в 2012 году во многом помог подготовить инфраструктуру, инженеров-технологов и разработчиков к переходу на новый топологический уровень, – отмечает генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон» Геннадий Красников. – Получив уникальный опыт разработки собственной технологии в дополнение к уже имеющемуся у нас опыту создания современного микроэлектронного производства, мы сможем приступить к серийному производству по 65-нм технологии, одновременно двигаясь к следующему топологическому уровню – 45 нанометрам.